Территория · геологический граф знаний

[epitaxy] – ориентированное срастание к-лов, обусловленное их кристаллохимич. соответствием, качественно характеризуемым правилом Руайе . Э. реализуется гл. обр. при ориентированном гетерогенном зарождении к-лов на подложке. Ансамбль нарастающих к-лов имеет максимум распределения по углам ориентировки – острый или размытый в зависимости от степени Э. При достаточно сильной связи между подложкой и осадком (зарождение по механизму Франка – ван дер Мерве) ухудшение кристаллохимич. соответствия приводит к ухудшению Э., а при слабой связи (зарождение по механизму Фольмера – Вебера) закономерность может быть обратной. Степень Э. зависит от кинетики процесса, ухудшаясь при увеличении скорости роста (растворения) подложки и уменьшении скорости роста осадка, что может служить типоморфным признаком (Гликин А. Э., 2004). Закономерная ориентировка нарастающих к-лов в отсутствие кристаллохимич. соответствия осуществляется силами дальнодействия при гомогенном зарождении и адгезии ( квазиэпитаксия , эффект Стулова ), в т. ч. на подложке с искусств. микрорельефом ( графоэпитаксия ).

[ Гликин А.Э., 2004; quasiepitaxy] – закономерное нарастание к-лов на кристаллич. или аморф. подложку в результате ориентировки зародышей анизотропными силами дальнодействия кристалла в процессе адгезии при гомогенном зарождении кристалла . Ансамбль к-лов, нарастающих на подложку, характеризуется максимумом распределения по углам ориентировки и смежным с ним минимумом, который обусловлен доворотом зародышей, близких к квазиэпитаксиальному положению (минимум распределения может служить признаком отличия К. от эпитаксии в частном случае срастания кристаллохимически соответственными поверх.). К проявлениям К. относятся текстуры ориентированных к-лов, закрепленных на подложке ребрами или вершинами ( эффект Стулова ).

[ Шефталь Н.Н., 1977; patterned substrate epitaxy] – ориентировка нарастающих к-лов на подложке с искусств. закономерным микрорельефом (искусств. эпитаксия). Может осуществляться при ориентированном гетерогенном зарождении к-ла в углублениях рельефа или при гомогенном зарождении к-ла с последующей ориентированной адгезией аналогично квазиэпитаксии .